P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The part **VP0106N3** is manufactured by **Vishay**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** VP0106N3  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Configuration:** Single Diode  
- **Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):** 60V  
- **Current - Average Rectified (Io):** 1A  
- **Forward Voltage Drop (Vf) (Max):** 0.55V @ 1A  
- **Reverse Recovery Time (trr):** Fast Recovery  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Package / Case:** SOD-123  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Ensures high efficiency in switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Surge Current Capability:** Provides robustness in transient conditions.  
- **Small Footprint:** SOD-123 package enables space-saving designs.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This diode is commonly used in power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection circuits.  

Let me know if you need further details.