"OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The VNV20N07 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (STM)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 70V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.07Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The VNV20N07 is a rugged N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Fast switching speed.  
- Avalanche ruggedness for reliability in harsh conditions.  
- Improved thermal performance due to TO-220 package.  

This information is based solely on STM's datasheet specifications.