"OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The VNV10N07 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Part Number:** VNV10N07  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 70V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 175°C  

### **Description:**
The VNV10N07 is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High current capability (10A continuous)  
- Fast switching speed  
- Low gate charge  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- TO-220 package for efficient heat dissipation  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the VNV10N07.