OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET The part **VNS3NV04DTR-E** is manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-channel 30 V, 0.1 Ω, 4 A STripFET II Power MOSFET  
- **Configuration:** Common drain  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4 A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 2 W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
- Designed for automotive and industrial applications  
- Low on-resistance for improved efficiency  
- High current capability in a compact package  
- ESD protection included  

### **Features:**  
- Dual N-channel MOSFET in a single package  
- Optimized for high-side and low-side switching  
- Fast switching performance  
- Low gate charge for reduced drive losses  
- AEC-Q101 qualified (for automotive applications)  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  

**Part Number:** VNS3NV04DTR-E  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-channel MOSFET  
- **Technology:** VIPower™ M0-3  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 3A per channel  
- **RDS(ON) (Max):** 0.1Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2W (per channel)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package:** PowerSO-10  

### **Descriptions:**  
The VNS3NV04DTR-E is a dual N-channel MOSFET designed using ST's VIPower™ M0-3 technology, optimized for high-efficiency power switching applications. It integrates two independent MOSFETs in a compact PowerSO-10 package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- **Dual N-channel MOSFET** in a single package  
- **Low on-resistance (RDS(ON))** for reduced conduction losses  
- **Fast switching performance**  
- **ESD protection** for improved robustness  
- **AEC-Q101 qualified** (automotive-grade reliability)  
- **Logic-level compatible gate drive**  
- **Thermal shutdown and overcurrent protection** (depending on variant)  

This device is commonly used in **automotive, industrial, and power management applications**, including motor control, load switching, and DC-DC converters.  

(Note: Always refer to the official datasheet for complete and updated specifications.)