OMNIFET II: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The **VNS3NV04D13TR** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
**STMicroelectronics (ST)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.13Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Package:** **SO-8** (Surface Mount)  
- **Technology:** **STripFET™** (Low gate charge, low R_DS(on))  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **ESD Protection:** Improved robustness against electrostatic discharge.  
- **Automotive Grade:** Compliant with AEC-Q101 standards for automotive applications.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, power management, and automotive systems**.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for exact specifications.)