"OMNIFET II": FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The VNS14NV04 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.04Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 3V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The VNS14NV04 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high current handling, making it suitable for automotive, industrial, and consumer electronics applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- Suitable for high-efficiency power conversion  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.