鯫MNIFET? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The VNP5N07 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 20A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 30W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.2Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The VNP5N07 is an N-channel vertical power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for automotive and industrial applications.

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improves ruggedness in inductive load conditions.  
- **ESD Protection:** Provides robustness against electrostatic discharge.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Ensures reliable performance in various conditions.  
- **Automotive-Grade Reliability:** Qualified for harsh environments.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the VNP5N07.