"OMNIFET II": FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The VNP35NV04 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 140A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 3V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- **Avalanche Rugged:** Designed to withstand high-energy avalanche conditions.  
- **Low On-Resistance:** Ensures high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Applications:** Used in power management, motor control, DC-DC converters, and automotive systems.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.