OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET The **VNP35NV04-E** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 140A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 18mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 3V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Current Capability:** Supports up to 35A continuous current.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Rugged:** Designed to withstand high-energy transients.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 10V drive signals.  
- **Thermally Enhanced Package:** TO-263 (D2PAK) for improved heat dissipation.  
- **Applications:** Used in power management, motor control, DC-DC converters, and automotive systems.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the **VNP35NV04-E**.