"OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The VNP35N07FI is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 70V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 140A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **RDS(ON) (Max):** 0.035Ω @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) – 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2800pF (typ)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 85nC (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** Vertical DMOS  
- **Package:** TO-220FP (fully insulated)  
- **Mounting Type:** Through Hole  
- **Channel Type:** N-Channel  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(ON)):** Ensures high efficiency in power switching applications.  
- **Fully Insulated Package (TO-220FP):** Provides electrical isolation between the heatsink and the device.  
- **Avalanche Ruggedness:** Capable of handling high-energy transients.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic Level Gate Drive:** Can be driven directly by low-voltage control circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product specifications.