OMNIFET: fully autoprotected Power MOSFET The VNP35N07-E is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (STM)  

### **Part Number:**  
VNP35N07-E  

### **Description:**  
The VNP35N07-E is a N-channel vertical power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It is commonly used in automotive and industrial applications due to its robustness and reliability.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 70V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 140A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.035Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Capable of handling high-energy transients.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V logic signals (with reduced R_DS(on) at higher V_GS).  
- **ESD Protection:** Enhanced electrostatic discharge protection.  
- **Automotive Qualified:** Meets AEC-Q101 standards for reliability.  

### **Package:**  
TO-263 (D²PAK) – Surface-mount power package with good thermal performance.  

### **Applications:**  
- Automotive systems (e.g., motor control, power distribution)  
- DC-DC converters  
- Power management circuits  
- Industrial switching applications  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the VNP35N07-E.

OMNIFET: fully autoprotected Power MOSFET Here is the factual information about the **VNP35N07-E** from the manufacturer **STMicroelectronics (ST)**:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** VNP35N07-E  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 70V  
- **Current Rating (ID):** 35A (continuous)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.035Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Package:** TO-220  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
The **VNP35N07-E** is an N-channel power MOSFET designed for high-current switching applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for automotive and industrial applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced power dissipation  
- High current handling capability (35A)  
- Fast switching performance  
- Avalanche ruggedness  
- Suitable for automotive applications (AEC-Q101 qualified)  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.