"OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The **VNP10N06FI** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Package:** TO-220FP (fully insulated)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching applications**.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Fully insulated TO-220FP package** for simplified mounting and heat dissipation.  
- **Fast switching speed** suitable for PWM applications.  
- **100% avalanche tested** for robustness in harsh conditions.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, power management, and automotive applications**.  

(End of factual information.)