OMNIFET II: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The part **VNN1NV0413TR** is manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
**STMicroelectronics (STM)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.3Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- A small-signal N-channel MOSFET designed for low-power switching applications.  
- Suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage for enhanced switching performance.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for efficient power handling.  
- ESD protection for improved reliability.  

This information is based on STMicroelectronics' datasheet and product documentation.