"OMNIFET II": FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The VND14NV04 is a double N-channel power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14 A  
- **Pulsed Drain Current (I_D pulse):** 56 A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50 W  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.027 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1 V (min), 2.5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100 pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The VND14NV04 is a double N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is housed in a PowerSSO-12 package, optimized for space-constrained designs.  
- Suitable for automotive and industrial applications requiring robust performance.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching capability for high-frequency applications.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- ESD protection for enhanced durability.  
- AEC-Q101 qualified for automotive use.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.