"OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The VND10N06 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (typical)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The VND10N06 is a rugged N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **High Current Handling (10A continuous)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified** for robustness  
- **Logic-Level Gate Drive** (compatible with 5V logic)  
- **ESD Protection**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based on STMicroelectronics' official documentation. For detailed application notes or additional parameters, refer to the datasheet.