"OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The VNB35N07 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 70V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 140A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The VNB35N07 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high current handling. It is suitable for switching and amplification in power electronics, motor control, and automotive systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Avalanche ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- Logic-level compatible gate drive (with sufficient V_GS)  
- TO-220 package for easy mounting  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the VNB35N07.