”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The VNB35N07-E is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST). Here are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
### **Part Number:** VNB35N07-E  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 70V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 140A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.025Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 70nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The VNB35N07-E is a high-performance N-channel power MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high current handling. It is suitable for power switching in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current capability (35A continuous)  
- Fast switching performance  
- Avalanche ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the VNB35N07-E.