"OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The VNB20N07 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 70V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 80A  
- **Power Dissipation (PD):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.07Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  

### **Descriptions:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-220  
- **Technology:** STripFET™ II  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on))  
- High current capability  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official STMicroelectronics documentation.

"OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET