HIGH SIDE DRIVER The VN750STR-E is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 300A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 8.5 mΩ (max) at VGS = 10V  
  - 10 mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2900 pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The VN750STR-E is a high-current N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for automotive and industrial applications.  
- The device is housed in a **STripFET™ II** technology package, ensuring efficient thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 75A continuous drain current.  
- **Avalanche-Rugged:** Designed to withstand high-energy transients.  
- **Optimized for Automotive Applications:** Meets stringent automotive reliability standards.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **ESD Protection:** Improved robustness against electrostatic discharge.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.