HIGH SIDE DRIVER The **VN750B5TR-E** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min) - 2.5V (max)  
- **Package:** **D²PAK (TO-263)**  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The **VN750B5TR-E** is a high-current, low on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for **automotive and industrial applications**, offering high efficiency and robustness.  
- The device is **AEC-Q101 qualified**, making it suitable for automotive environments.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (80A continuous, 320A pulsed).  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive reliability.  
- **Optimized for high-power switching** in motor control, DC-DC converters, and power management.  
- **Enhanced thermal performance** due to the D²PAK package.  

This information is based solely on STMicroelectronics' datasheet and product documentation.