**Part Number:** VN66AFD  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 24A  
- **Power Dissipation (PD):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.15Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

**Descriptions:**  
The VN66AFD is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-speed switching and power management applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics.  

**Features:**  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed datasheet information, refer to VISHAY's official documentation.

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 60V  
- **Current Rating (ID):** 30A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.025Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (typical)  
- **Package:** PowerSO-10  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** performance.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- Suitable for **motor control, DC-DC converters, and power management** circuits.  
- **Surface-mount package (PowerSO-10)** for compact designs.  

For detailed datasheet information, refer to **STMicroelectronics' official documentation**.