HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY The VN540 is a power MOSFET manufactured by SGS-THOMSON (now STMicroelectronics). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SGS-THOMSON (STMicroelectronics)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.04Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Package:** TO-220 (isolated tab option available)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-current, high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance suitable for PWM and motor control.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability in harsh conditions.  
- Isolated TO-220 package variant available for simplified thermal management.  
- Suitable for automotive, industrial, and power supply applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY The VN540 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 35mΩ (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Suitable for automotive and industrial applications.  
- Available in a TO-220 package for easy mounting.  

These details are based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.