### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Switching:** Suitable for fast switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power handling with minimal losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is based on VISHAY's datasheet for the VN4012L MOSFET.