N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The VN3205N6 is a power MOSFET manufactured by SUPERTEX. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SUPERTEX  
- **Part Number:** VN3205N6  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 60V  
- **Current Rating (ID):** 1.2A (continuous)  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 5Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Power Dissipation (PD):** 1.25W  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
The VN3205N6 is a small-signal N-channel MOSFET designed for low-power switching applications. It is commonly used in circuits requiring efficient power management, such as load switching, signal amplification, and low-voltage control systems.  

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage:** Suitable for low-voltage applications.  
- **Compact Package:** SOT-23 for space-constrained designs.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in switching circuits.  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in power applications.  
- **ESD Protection:** Provides robustness against electrostatic discharge.  

This information is strictly based on SUPERTEX's documented specifications for the VN3205N6.

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The VN3205N6 is a high-side driver manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Output Current:** Up to 5A (continuous)  
- **Output Voltage:** 36V (max)  
- **On-State Resistance (RDS(on)):** 70mΩ (typical)  
- **Logic Input Voltage:** 3.3V/5V compatible  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Protection Features:** Over-temperature shutdown, over-current protection, and ESD protection  

### **Description:**  
The VN3205N6 is a monolithic device designed for automotive and industrial applications. It integrates a power MOSFET with a CMOS driver, providing efficient switching and protection.  

### **Features:**  
- **High-Side Driver:** Suitable for controlling resistive, inductive, or capacitive loads.  
- **Low Standby Current:** Optimized for energy efficiency.  
- **Diagnostic Feedback:** Open-load detection in ON and OFF states.  
- **AEC-Q100 Qualified:** Meets automotive reliability standards.  
- **Package:** PowerSSO-12 (exposed pad for thermal dissipation).  

This information is based on STMicroelectronics' official documentation.

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The **VN3205N6** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 32mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  

### **Description:**
- The **VN3205N6** is an **N-channel enhancement-mode vertical DMOS FET** designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is housed in a **PowerSSO-12** package, optimized for low thermal resistance and high power density.  
- Suitable for **automotive, industrial, and consumer electronics** applications.  

### **Features:**
- **Low gate charge** for fast switching.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **ESD protection** (up to 2kV).  
- **Fully characterized for linear mode operation.**  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, and power management** circuits.  

(Source: STMicroelectronics datasheet)