Enhancement-Mode MOSFET Transistors Here are the factual details about part **VN2406D** from the manufacturer **STMicroelectronics (ST)**:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-channel Power MOSFET  
- **Configuration:** High-side and low-side driver  
- **Voltage Rating (VDS):** 60V  
- **Current Rating (ID):** 12A (per channel)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.1Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.5V (min) – 2.5V (max)  
- **Input Logic Compatibility:** 3.3V / 5V TTL/CMOS  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package:** PowerSO-10  

### **Descriptions:**  
The **VN2406D** is a dual N-channel MOSFET driver designed for high-efficiency power switching applications. It integrates two independent MOSFETs in a single package, making it suitable for H-bridge and half-bridge configurations. The device features low on-resistance and is optimized for automotive and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Dual N-channel MOSFETs** in a single package  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching** capability  
- **Integrated protection features** (thermal shutdown, overcurrent protection)  
- **3.3V / 5V logic-compatible inputs**  
- **AEC-Q100 qualified** (for automotive applications)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For precise application details, refer to the official **STMicroelectronics datasheet**.