N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs　 The VN2204N3 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A  
- **RDS(on) (Max):** 0.04Ω @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 30W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to 175°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low on-resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** suitable for PWM applications.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Logic-level compatible** gate drive (fully enhanced at 4.5V).  
- **ESD protection** for robustness in harsh environments.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to STMicroelectronics' official documentation.