ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY The part **VN06SP** is manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min) to 3V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**
- The **VN06SP** is a **N-channel enhancement mode vertical DMOS FET** designed for **low voltage, high-speed switching applications**.  
- It is housed in a **TO-220 package**, providing efficient thermal performance.  
- Suitable for **automotive, industrial, and consumer electronics** applications.  

### **Features:**
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **ESD protection** for enhanced durability.  
- **Fully characterized for linear mode operation** (suitable for DC-DC converters, motor control, and power management).  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the **VN06SP** MOSFET.