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VN0610L from

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VN0610L

Enhancement-Mode MOSFET Transistors

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
VN0610L 1000 In Stock

Description and Introduction

Enhancement-Mode MOSFET Transistors Here are the factual details about part **VN0610L** from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Part Number:** VN0610L  
- **Type:** Low-side driver IC  
- **Technology:** Power MOSFET  

### **Descriptions:**
- The **VN0610L** is a monolithic device designed for automotive and industrial applications.  
- It integrates a **power MOSFET** with a **charge pump** and protection features.  
- Suitable for **low-side switching** in resistive, inductive, and capacitive loads.  

### **Features:**
- **Voltage Rating:** 60V  
- **Current Handling:** Up to 10A  
- **On-State Resistance (RDS(on)):** 0.06Ω (typical)  
- **Logic-Level Input:** Compatible with 3.3V and 5V microcontrollers  
- **Protection Features:**  
  - Over-temperature shutdown  
  - Short-circuit protection  
  - Undervoltage lockout (UVLO)  
- **Package:** PowerSO-10 (Exposed Pad for thermal dissipation)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation. Let me know if you need further details.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
VN0610L VISHA 5000 In Stock

Description and Introduction

Enhancement-Mode MOSFET Transistors **Part Number:** VN0610L  
**Manufacturer:** VISHA  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 24A  
- **Power Dissipation (PD):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.25Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The VN0610L is a power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in various circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Enhanced Ruggedness:** Improved avalanche energy capability.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance.  

(Source: VISHA datasheet)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
VN0610L SI 5000 In Stock

Description and Introduction

Enhancement-Mode MOSFET Transistors **Part VN0610L Manufacturer SI Specifications, Descriptions, and Features:**  

- **Manufacturer:** Vishay Siliconix (SI)  
- **Part Number:** VN0610L  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 60V  
- **Current Rating (ID):** 0.7A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 1.4W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Features:**  
  - Low gate charge  
  - Fast switching speed  
  - ESD protection  
  - Logic-level compatible gate drive  
  - RoHS compliant  

This MOSFET is designed for low-power switching applications, such as load switching and signal amplification in portable electronics.  

(Source: Vishay Siliconix datasheet for VN0610L)

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