HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY The VN05NSP is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 20A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.25Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 250pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 90pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Description:**  
The VN05NSP is a single N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications in automotive and industrial environments. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, motor control, and load switching.  
### **Features:**  
- **AEC-Q101 Qualified** (for automotive applications)  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche Ruggedness** for improved reliability  
- **ESD Protection** (up to 2kV)  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **TO-220 Package** for efficient thermal dissipation  
This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the VN05NSP.