**Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.03Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) – 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

**Descriptions and Features:**  
- High-current, low on-resistance N-Channel MOSFET.  
- Suitable for power management and switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Fast switching speed.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheets, refer to VISHAY’s official documentation.