HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY Here is the factual information about part **VN02N** from the manufacturer **STMicroelectronics**:

### **Specifications:**
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **VN02N** is a **N-channel enhancement-mode vertical DMOS FET** designed for **low-voltage, high-speed switching applications**.  
- It is optimized for **low on-resistance and fast switching performance**, making it suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management circuits**.  
- Available in **TO-92** and **SOT-223** packages.  

### **Features:**
- **Low gate charge** for improved switching efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **Low threshold voltage** for compatibility with logic-level drive  
- **Fully characterized for linear operation**  

This information is sourced from the official **STMicroelectronics datasheet** for the **VN02N** MOSFET.