Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A The **VF20100C** is a **Schottky Rectifier Diode** manufactured by **Vishay Semiconductor**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Part Number:** VF20100C  
- **Type:** Schottky Rectifier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 20A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 300A (non-repetitive)  
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM):** 100V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.85V (typical) at 10A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 10mA (maximum) at 100V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +175°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -65°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AC (isolated tab)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-efficiency rectification** in power supplies, converters, and inverters.  
- Utilizes **Schottky barrier** technology for **low forward voltage drop** and **fast switching**.  
- **Isolated package** (TO-220AC) allows for better thermal management.  

### **Features:**  
- **Low power loss** due to minimal forward voltage drop.  
- **High surge current capability** (300A).  
- **High junction temperature rating** (up to 175°C).  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- **Halogen-free** according to IEC 61249-2-21.  

This diode is commonly used in **switching power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection circuits**.  

(Source: Vishay Semiconductor datasheet for VF20100C.)

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A