Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.425 V at IF = 10 A The part **V80100P** is a **valve** manufactured by **Parker Hannifin**, a leading provider of motion and control technologies.  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** Parker Hannifin  
- **Type:** Solenoid Valve  
- **Series:** V-Series  
- **Port Size:** Typically 1/4" to 1" (varies by model)  
- **Voltage Options:** 12V DC, 24V DC, 120V AC, 240V AC (depending on configuration)  
- **Pressure Rating:** Up to 150 PSI (varies by model)  
- **Flow Rate:** Varies by size and configuration  
- **Material:** Brass or Stainless Steel (depending on model)  
- **Seal Material:** Nitrile (Buna-N), Viton, or other options for compatibility with different fluids  
- **Operation:** Normally Closed (NC) or Normally Open (NO) configurations available  

### **Descriptions and Features:**  
- **2-Way or 3-Way Operation:** Can be configured for different flow paths  
- **Direct-Acting or Pilot-Operated:** Depending on model  
- **High Flow Capacity:** Optimized for efficient fluid control  
- **Durable Construction:** Resistant to corrosion and wear  
- **Wide Fluid Compatibility:** Works with air, water, oil, and other compatible media  
- **Compact Design:** Space-saving for tight installations  
- **Fast Response Time:** Ensures quick actuation  

For exact specifications, always refer to the manufacturer's datasheet or product documentation.

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.425 V at IF = 10 A

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.425 V at IF = 10 A The part **V80100P** is manufactured by **台半 (Taiwan Semiconductor, TSC)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Voltage Rating (Vr):** 100V  
- **Current Rating (If):** 80A (average forward current)  
- **Peak Forward Surge Current (Ifsm):** 800A  
- **Forward Voltage Drop (Vf):** Typically 0.85V at 40A  
- **Reverse Leakage Current (Ir):** Typically 500µA at 100V  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +175°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Low forward voltage drop for reduced power loss.  
- **Fast Switching:** Schottky design ensures quick recovery time.  
- **High Surge Current Capability:** Suitable for high-power applications.  
- **Robust Construction:** TO-247 package provides excellent thermal performance.  
- **Applications:** Used in power supplies, inverters, motor control, and other high-current rectification circuits.  

This information is strictly based on the manufacturer's provided data. Let me know if you need further details.

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.425 V at IF = 10 A

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.425 V at IF = 10 A - **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** V80100P  
- **Type:** High Voltage N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 1000V  
- **Current Rating (ID):** 8A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.5Ω (max)  
- **Package:** TO-220  
- **Features:**  
  - High voltage capability  
  - Low gate charge  
  - Fast switching speed  
  - Avalanche energy specified  
  - Improved dv/dt capability  
- **Applications:**  
  - Switching power supplies  
  - Motor control  
  - High voltage inverters  
  - Industrial applications  

(Data sourced from Vishay's official documentation.)

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.425 V at IF = 10 A