Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Here is the factual information about the **V60200PGW** manufacturer **VISHAY** from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** VISHAY
- **Part Number:** V60200PGW
- **Type:** Power MOSFET
- **Technology:** Silicon N-Channel
- **Voltage Rating (VDS):** 200V
- **Current Rating (ID):** 60A (continuous)
- **Power Dissipation (PD):** 300W
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.042Ω (max) at VGS = 10V
- **Package:** TO-247 (Through-Hole)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C

### **Descriptions:**
- The **V60200PGW** is a high-power N-Channel MOSFET designed for demanding switching applications.
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.
- The TO-247 package ensures efficient thermal performance.

### **Features:**
- **High Voltage Rating (200V)**
- **Low On-Resistance (RDS(on))**
- **Fast Switching Speed**
- **High Current Capability (60A)**
- **Robust Thermal Performance**
- **Avalanche Energy Rated**
- **Lead-Free and RoHS Compliant**

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and specifications.

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier