Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A The part **V60100P** is a **thyristor (SCR - Silicon Controlled Rectifier)** manufactured by **VISHAY**. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (VDRM / VRRM):** 100V  
- **Current Rating (IT(RMS)):** 60A  
- **Non-Repetitive Peak On-State Current (ITSM):** 600A (for 10ms)  
- **Gate Trigger Current (IGT):** 30mA (max)  
- **Gate Trigger Voltage (VGT):** 1.5V (max)  
- **Holding Current (IH):** 30mA (max)  
- **On-State Voltage (VTM):** 1.7V (max at IT = 60A)  
- **Critical Rate of Rise of Off-State Voltage (dv/dt):** 100V/µs (min)  
- **Operating Temperature Range (Tj):** -40°C to +125°C  

### **Package:**
- **TO-220AB** (Through-hole package with isolated mounting)  

### **Descriptions & Features:**
- **High Surge Current Capability** (600A peak for 10ms)  
- **Planar Passivated** for improved reliability  
- **Isolated Mounting** (electrically isolated tab)  
- **Low Thermal Resistance** for efficient heat dissipation  
- **Applications:** Power switching, motor control, industrial controls, and AC/DC power conversion  

This SCR is designed for **medium-power switching applications** where high surge current handling and reliability are required.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise details.)