HIGH PERFORMANCE 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH The part **V53C16258HK40** is a **4M x 16-bit (64Mb) CMOS Dynamic RAM (DRAM)** manufactured by **MOSE (Mosel Vitelic Inc.)**.  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 4M x 16-bit (64Mb)  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Access Time:** 40ns  
- **Package:** 50-pin TSOP II (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Refresh:** 4,096 cycles every 64ms  
- **Interface:** Synchronous (SDRAM)  

### **Features:**  
- **High-Speed Operation:** 40ns access time  
- **Low Power Consumption:** Operates at 3.3V  
- **Auto Refresh & Self Refresh Modes**  
- **Burst Read/Write Operations**  
- **CAS Latency Options:** Programmable (2 or 3)  
- **Fully Static Operation**  

This DRAM is commonly used in memory modules, embedded systems, and computing applications requiring high-density, low-power memory solutions.  

Would you like additional details on pin configurations or timing diagrams?

HIGH PERFORMANCE 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH The part **V53C16258HK40** is a **4M x 16-bit (64Mb) CMOS Dynamic RAM (DRAM)**. Below are its specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:**  
- **V53C16258HK40** is manufactured by **Mosel Vitelic (now ProMOS Technologies)**.

### **Specifications:**  
- **Organization:** 4M x 16-bit (64 Megabit)  
- **Technology:** CMOS DRAM  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Access Time:** 40ns (max)  
- **Package:** 50-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64ms  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C (commercial grade)  

### **Descriptions:**  
- High-speed synchronous DRAM with a 16-bit data bus.  
- Designed for applications requiring high-density, low-power memory.  
- Supports burst mode operation for improved data transfer efficiency.  

### **Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for high-speed data access.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Reduces power consumption.  
- **Burst Mode Support:** Enhances sequential data transfer.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered devices.  
- **CAS Latency Options:** Programmable for system flexibility.  

This part is commonly used in **embedded systems, networking equipment, and industrial applications**.  

Would you like additional details on pin configurations or timing diagrams?

HIGH PERFORMANCE 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH The part **V53C16258HK40** is a high-speed CMOS **4M x 16-bit (64Mb)** DRAM manufactured by **MOSEL**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 4M words × 16 bits  
- **Density:** 64 Megabits (64Mb)  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 40ns (max)  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Features:**  
- **High-Speed Operation:** Synchronous DRAM (SDRAM) interface  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes  
- **Burst Mode Support:** Enhances data transfer efficiency  
- **CAS Latency Options:** Programmable for performance tuning  

This DRAM is commonly used in **computing, networking, and embedded systems** requiring high-speed memory access.  

Would you like additional details on pin configurations or timing diagrams?