Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.372 V at IF = 5 A The part **V40100P** is manufactured by **VISHAY**. Here are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Category:** Power MOSFET  
- **Type:** N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS):** 100V  
- **Current Rating (ID):** 40A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.045Ω (typical)  
- **Package:** TO-220AB  
- **Mounting Type:** Through Hole  

### **Descriptions:**  
The **V40100P** is an N-Channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is suitable for power supplies, motor control, and other high-current applications due to its low on-resistance and high current handling capability.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power switching.  
- **High Current Handling:** Supports up to 40A continuous drain current.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Robust Construction:** TO-220AB package ensures reliable thermal performance.  
- **Wide Voltage Range:** Suitable for 100V applications.  

This information is based solely on the available knowledge base for the **V40100P** from **VISHAY**.

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.372 V at IF = 5 A