Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A The part **V20100C** is manufactured by **VISHAY**. Here are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** V20100C  
- **Type:** Schottky Rectifier Diode  
- **Voltage Rating (VRRM):** 100V  
- **Average Forward Current (IF(AV)):** 20A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 200A  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.85V (typical at 10A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 100µA (max at 100V)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +175°C  

### **Description:**  
The **V20100C** is a high-efficiency Schottky rectifier diode designed for applications requiring low forward voltage drop and fast switching. It is commonly used in power supplies, inverters, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 20A continuous current.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses in high-frequency circuits.  
- **High Surge Current Capacity:** Withstands up to 200A peak surge current.  
- **High-Temperature Operation:** Suitable for harsh environments.  

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A