### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC=10mA, VCE=1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- General-purpose NPN transistor suitable for amplification and switching applications.  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  
- Commonly used in audio amplifiers, signal processing, and driver circuits.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise details.)