128K x 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM The UT62L12816BS-70LLI is a 2M x 16-bit (32M-bit) Low Power CMOS Static RAM manufactured by UTRON. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 2M x 16-bit (32M-bit)  
- **Operating Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 70ns  
- **Operating Current:** 25mA (typical)  
- **Standby Current:** 5µA (typical)  
- **Package:** 48-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  

### **Descriptions:**
- The UT62L12816BS-70LLI is a high-performance, low-power CMOS static RAM designed for applications requiring high-speed and low-power operation.  
- It is suitable for battery-powered and portable devices due to its low standby current.  
- The device supports asynchronous operation and is compatible with industrial temperature ranges.  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 25mA (typical)  
  - Standby current: 5µA (typical)  
- **Wide Voltage Range:** 3.3V ± 0.3V  
- **High-Speed Access Time:** 70ns  
- **Industrial Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **BGA Package:** 48-ball configuration for compact designs  
- **Fully Static Operation:** No refresh or clock required  
- **Tri-State Outputs:** Allows direct connection to a common bus  
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs**  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the UT62L12816BS-70LLI.

128K x 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM The UT62L12816BS-70LLI is a 128Mb (8Mx16) Low Power CMOS SRAM manufactured by UT.  

### **Specifications:**  
- **Density:** 128Mb (8M words x 16 bits)  
- **Voltage Supply:** 2.7V–3.6V  
- **Access Time:** 70ns  
- **Operating Current:** 25mA (typical)  
- **Standby Current:** 10μA (typical)  
- **Package:** 48-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Organization:** 8,388,608 words × 16 bits  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered applications.  
- **High-Speed Access:** 70ns access time for fast read/write operations.  
- **Wide Voltage Range:** Supports 2.7V–3.6V operation.  
- **Battery Backup Capable:** Ultra-low standby current for power-sensitive designs.  
- **FBGA Package:** Compact footprint suitable for space-constrained applications.  
- **Industrial Temperature Range:** Reliable operation in harsh environments (-40°C to +85°C).  
- **CMOS Technology:** Ensures low power dissipation and high noise immunity.  

This SRAM is commonly used in embedded systems, networking devices, and portable electronics requiring high-density, low-power memory.