4.2A, 20V P-CHANNEL POWER MOSFET The UT2305G-AE3-R is a component manufactured by UTC (Unisonic Technologies Co., Ltd.). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **UTC (Unisonic Technologies Co., Ltd.)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-State Resistance (R_DS(ON)):** 60mΩ (at V_GS = -10V, I_D = -4.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Enhancement Mode:** Requires a negative gate-source voltage to turn on.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package, 8-pin)  

This information is based solely on the available knowledge base for the UT2305G-AE3-R MOSFET by UTC.