2.5 Drive NchPch MOS FET The part **US6M2** is a **Schottky Barrier Diode (SBD)** manufactured by **ROHM Semiconductor**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode (SBD)  
- **Package:** US6 (Ultra Small Surface Mount Package)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 60V  
- **Average Rectified Forward Current (IO):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage (VF):** 0.55V (typ) at 1A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.1mA (max) at 60V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Ultra-Low VF:** Low forward voltage drop for improved efficiency.  
- **High-Speed Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Compact Package:** US6 package (2.0 x 1.25 x 0.6mm) for space-constrained designs.  
- **High Reliability:** Robust construction for stable performance.  
- **Applications:** Power supply circuits, reverse current prevention, DC-DC converters, and switching circuits.  

This information is strictly based on ROHM's provided data for the **US6M2** diode.

2.5 Drive NchPch MOS FET