### **Manufacturer Specifications**  
- **Manufacturer:** UnitedSiC (now Qorvo)  
- **Part Number:** US6KB80R  
- **Category:** Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode  
- **Voltage Rating:** 650V  
- **Current Rating:** 6A (average forward current)  
- **Peak Forward Surge Current:** 60A (non-repetitive)  
- **Reverse Leakage Current:** <10µA (at rated voltage)  
- **Forward Voltage Drop (Vf):** ~1.7V (typical at 6A)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252-2 (DPAK)  

### **Descriptions**  
- The **US6KB80R** is a **650V, 6A** SiC Schottky diode designed for high-efficiency power conversion applications.  
- It offers **ultra-low reverse recovery charge (Qrr)** and **minimal switching losses**, making it ideal for high-frequency circuits.  
- Built with **silicon carbide technology**, it provides superior thermal performance and reliability compared to traditional silicon diodes.  

### **Features**  
- **Zero Reverse Recovery (Qrr = 0µC):** Enables high-frequency operation with minimal losses.  
- **High Surge Current Capability:** Supports transient overload conditions.  
- **Low Forward Voltage Drop:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High-Temperature Operation:** Suitable for harsh environments.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive-grade reliability standards.  

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