POWER AMPLIFIER FOR BluetoothTM Class 1 **Part Number:** UPG2314T5N  
**Manufacturer:** NEC  
**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** 6A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.04Ω (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 400pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
**Descriptions:**  
The UPG2314T5N is a small-signal N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It is commonly used in power management circuits, DC-DC converters, and load switching.  
**Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on))  
- Fast switching speed  
- Compact surface-mount package (SOT-23-5)  
- Suitable for battery-powered applications  
- Lead-free and RoHS compliant  
For detailed datasheets, refer to NEC's official documentation.