1.8 V, POWER AMPLIFIER FOR BluetoothTM Class 1 The **UPG2250T5N-E2-A** is a **SPDT (Single Pole Double Throw) RF switch** manufactured by **Renesas Electronics**.  

### **Specifications:**  
- **Frequency Range:** DC to 2.5 GHz  
- **Insertion Loss:** 0.35 dB @ 1 GHz  
- **Isolation:** 30 dB @ 1 GHz  
- **Power Handling (CW):** 30 dBm  
- **Switching Speed:** 0.5 μs  
- **Control Voltage (VCTL):** 1.8 V (Logic compatible)  
- **Supply Voltage (VDD):** 3 V to 5 V  
- **Package:** 6-pin UDFN (1.5 x 1.0 mm)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Insertion Loss:** Ensures minimal signal degradation.  
- **High Isolation:** Reduces interference between switched paths.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-speed RF applications.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered devices.  
- **Compact Package:** Small footprint ideal for space-constrained designs.  
- **Wide Frequency Range:** Supports DC to 2.5 GHz for versatile applications.  
- **High Power Handling:** Capable of handling up to 30 dBm of continuous RF power.  

This RF switch is commonly used in **wireless communication systems, IoT devices, and RF front-end modules**.  

Would you like additional details on any specific parameter?

1.8 V, POWER AMPLIFIER FOR BluetoothTM Class 1