**Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification  
- **Material:** Gallium Arsenide (GaAs)  
- **Package Type:** Surface Mount (SMD)  
- **Frequency Range:** Up to several GHz (specific range may vary)  
- **Power Output:** Suitable for low to medium power RF applications  
- **Voltage Rating:** Typically operates at low voltages (exact rating depends on datasheet)  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for RF and microwave applications.  
- High gain and low noise performance.  
- Suitable for use in wireless communication systems.  
- Compact SMD package for space-constrained designs.  
- Optimized for stable performance in high-frequency circuits.  

For exact electrical characteristics, refer to the NEC datasheet for UPG2163T5N.