### **Specifications:**  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 128Mbit  
- **Organization:** 8M words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Access Time:** 10ns (max)  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions and Features:**  
- High-speed CMOS DRAM  
- Synchronous interface for improved performance  
- Auto refresh and self-refresh modes  
- Low power consumption  
- Compatible with industry-standard 3.3V memory systems  
- Suitable for applications requiring moderate-speed, high-density memory  

(Note: This information is based on available data for similar NEC DRAM components. Verify exact details with official NEC documentation if required.)