### **Specifications:**  
- **Organization:** 8K x 8 (65,536 bits)  
- **Access Time:** 20 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Power Consumption:**  
  - Active: 275 mW (max)  
  - Standby: 27.5 mW (max)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C (commercial grade)  
- **Package:** 28-pin DIP (Dual In-line Package) or PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Technology:** CMOS  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Operation:** 20 ns access time suitable for high-performance applications.  
- **Low Power Consumption:** Features standby mode for reduced power usage.  
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures compatibility with standard logic levels.  
- **Tri-State Outputs:** Allows bus sharing in multi-processor systems.  
- **Wide Operating Voltage Range:** Supports 5V ±10% for stable performance.  

This SRAM is commonly used in **embedded systems, industrial controls, telecommunications, and computing applications** where fast, reliable memory is required.