### **Specifications:**  
- **Organization:** 8K × 8-bit  
- **Technology:** CMOS  
- **Access Time:** 120 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Package:** 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Standby Current (TTL Level):** 10 µA (max)  
- **Standby Current (CMOS Level):** 1 µA (max)  
- **Operating Current:** 40 mA (max)  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption** (CMOS technology)  
- **Fully Static Operation** (no clock or refresh required)  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs**  
- **Single 5V Power Supply**  
- **Three-State Outputs**  
- **Battery Backup Capability**  

This SRAM is designed for applications requiring low-power, high-speed memory, such as embedded systems, industrial controls, and battery-backed memory applications.  

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