2M-bit(128K-word x 16-bit) Low Power SRAM The UPD442012AGY-BB70X-MJH is a memory chip manufactured by NEC. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPD442012AGY-BB70X-MJH  

### **Specifications:**  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 4Mbit (1M x 4)  
- **Organization:** 1,048,576 words × 4 bits  
- **Voltage Supply:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 70ns (typical)  
- **Package:** SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**  
- A high-speed, low-power CMOS DRAM designed for applications requiring fast access times.  
- Suitable for use in embedded systems, industrial controls, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- **Fast Access Time:** 70ns (max)  
- **Low Power Consumption:** Optimized for energy efficiency.  
- **Single 5V Power Supply:** Simplifies system design.  
- **CMOS Technology:** Ensures high-speed operation with low power dissipation.  
- **Refresh Cycle:** 512 cycles every 8ms (standard DRAM refresh requirement).  

This information is based on NEC's documented specifications for the UPD442012AGY-BB70X-MJH.

2M-bit(128K-word x 16-bit) Low Power SRAM